北京厚膜电阻片-厚博电子-厚膜电阻片生产的详细描述：

厚膜电路版图常用设计规则

1布图前的准备

(1)仔细了解电路特点和主要技术条件,并按相关规范整理出原理图。

(2)明确所用元器件型号、尺寸、性能参数。

2布图

(1)布线

   布线时，导电带应与基片边缘相互平行或45°斜线，使图形显得整齐、规则

   和便于制网和印刷。

(2)设计图形尺寸的选择：

   为了保证因基片“负”公差而使导体图形超出基片边缘的情况发生,设计面积

   应按基片“负”公差尺寸进行设计。

(3)留边量大小的确定。

   根据印刷工艺要求和基片垂直度及尺寸公差，除按上述“负”公差设计外，

   还应留至少0.2毫米（8 mil）的余量。

(4)导电带线宽和间距的选择：

  对于96%氧化铝陶瓷基片，若印刷金导电带，线宽和间距一般为0.3毫米

  (12 mil)。若印刷钯银导电带，线宽和间距一般为0.4毫米(16 mil)。

(5)焊区面积的选择：

  可参照EDA系统的数据库所提供的标准尺寸。

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磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。

工作原理

　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar 和新的电子；新电子飞向基片，Ar 在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，

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二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。

　磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。

种类

　　磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电子交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

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　　靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。